研究人员研制4英寸原子级磁控溅射外延设备

研究团队联合物理所和中国科大，将原子级磁控溅射外延方案拓展到四英寸设备，用于制备新型铁电半导体薄膜。

所获得的氮化铝钪与氮化钛单晶异质结，在X射线检测中表现出很窄的摇摆曲线，说明薄膜结晶质量较高，为相关器件材料研究提供了设备支持。